存儲芯片具有固有的周期性變化特征，作為主要產(chǎn)品的DRAM和NAND Flash的市場規(guī)模也存在著明顯的周期性波動。

01

存儲芯片大跌，是市場規(guī)律

從DRAM的價格周期看，自2012 年至今DRAM已經(jīng)經(jīng)歷了三輪周期。

第一輪周期：2012年Q3至2016年Q2。其中2012年Q3至2014年Q2為周期上行，主要驅(qū)動力為智能手機爆發(fā)，對 DRAM 的需求增長；2014年Q3至2016年Q2周期下行，主要是因為各廠商擴產(chǎn)落地導致供大于求。

第二輪周期：2016年Q3至2019年Q4。其中2016年Q3至2018年Q2周期上行，主要驅(qū)動力為主要的存儲芯片廠商轉(zhuǎn)移產(chǎn)能至3D NAND Flash，DRAM 無擴產(chǎn)計劃；2018年Q3至2019年Q4周期下行，主要原因是中美貿(mào)易摩擦導致全球下游需求萎靡，服務器、PC、筆記本電腦等需求不佳，DRAM供過于求。

第三輪周期：2020年Q1至今。其中2020年Q1至2021年Q2為周期上行，主要驅(qū)動力為疫情下，線上經(jīng)濟、居家辦公等需求拉動服務器、TV、PC 出貨激增， 5G 手機升級驅(qū)動單機容量升級，帶動 DRAM 價格回升。2021年Q3至今為周期下行，原因是隨著智能手機等消費電子需求步入低迷，存儲廠商持續(xù)去庫存。

NAND Flash與DRAM的價格周期波動情況相似，自2012年至今也經(jīng)歷了三輪周期。

第一輪周期：2012年Q3至2015年Q4。其中2012年Q3至2013年Q1為周期上行，主要驅(qū)動力為智能手機的需求爆發(fā)。2013年Q2至2015年Q4周期下行，主要原因是PC 銷售量衰減，導致需求持續(xù)疲軟，同時各大存儲廠新增產(chǎn)能開出，存儲芯片整體供大于求。

第二輪周期：2016年Q1至2019年Q4。其中2016年Q1至2017年Q2周期上行，主要驅(qū)動力為非蘋果智能手機品牌的需求提振但大部分廠商良率爬升普遍較緩，供給下滑嚴重。2017年Q3至2019年Q4周期下行，主要原因是 廠商 3D NAND 良率提升、大幅擴產(chǎn)，但其他部分如服務器、PC 及平板需求疲軟。

第三輪周期：2020年Q1至今。其中2020年Q1至2021年Q2，NAND Flash 價格處于震蕩狀態(tài)。主要矛盾是中美貿(mào)易摩擦對需求形成一定壓制與居家辦公對消費電子需求的強烈提振。

2021年Q2至今，智能手機等消費電子需求步入低迷，存儲廠商持續(xù)去庫存。

如此看來，DRAM和NAND市場都有天然的周期性，每輪周期時間大約3至4年，這雖然會導致劇烈價格和收益變化 ，但是屬于市場波動的正?，F(xiàn)象。

02

看好下半年？

從2021年下半年至今，DRAM和NAND Flash兩大內(nèi)存芯片價格已經(jīng)下跌長達20個月。各存儲芯片廠商正在集中減產(chǎn)、應對庫存問題、節(jié)約資本開支，并推遲先進技術的進展，以應對存儲器需求的疲軟。

為了應對 3DNAND 和 DRAM 內(nèi)存需求放緩的問題，美光宣布將DRAM和NAND晶圓產(chǎn)量減少約20%，除此之外，美光還宣布將在2023年削減30%的資本開支。

SK 海力士也宣布削減2023年的資本支出50%以上，并對收益較低的存儲產(chǎn)品進行減產(chǎn)。隨后在今年年初，有臺媒報道SK海力士已調(diào)降供國內(nèi)設施使用的晶圓產(chǎn)量10%。

鎧俠也做出了減產(chǎn)動作，調(diào)整日本四日市和北上NAND Flash晶圓廠的生產(chǎn)，晶圓生產(chǎn)量將減少約30%。

西部數(shù)據(jù)宣布NAND閃存產(chǎn)量減少30%。

就在近日，三星一改之前堅決不減產(chǎn)的態(tài)度，宣布對存儲芯片進行減產(chǎn)。三星電子表示，將把內(nèi)存芯片產(chǎn)量削減至“合理水平”，主要以PC內(nèi)存“DDR4”等通用產(chǎn)品為中心推進。

隨著各家存儲器大廠紛紛大幅減產(chǎn)，存儲芯片供給端過?，F(xiàn)象將進一步改善。近期，從海外三大存儲巨頭的預測來看，市場情況正在出現(xiàn)微妙變化。

據(jù)美光透露，存儲芯片庫存已至高點，后續(xù)有望迎來行業(yè)拐點。雖然目前存儲價格仍在下行，但廠商庫存壓力已達到峰值，后續(xù)有望逐步下降至安全水位。

SK海力士日前在股東大會上也透露，預計存儲芯片需求將在今年下半年復蘇，但不確定性依舊存在，公司今年資本開支將減半，不會進一步減產(chǎn)。

鎧俠也認為隨著今年中國經(jīng)濟全面重啟，客戶庫存水平逐季降低，市場需求將于今年下半年復蘇。

此外，在近日召開的CFMS 2023峰會上，中國存儲龍頭長江存儲的首席運營官程衛(wèi)華在演講中也提到，得益于智能手機、服務器和個人電腦制造商的需求訂單，全球NAND閃存市場的供需將在今年下半年達到平衡。

值得注意的是，三星電子近日通知分銷商，將不再以低于當前價格出售DRAM芯片。DRAM現(xiàn)貨價格日前停止下跌，明顯早于預期。據(jù)全球半導體觀察DRAMeXchange數(shù)據(jù)，最常見的DRAM產(chǎn)品之一DDR4 16Gb 2600的現(xiàn)貨價格在4月11日上漲0.78%，成為自2022年3月7日以來的首次價格上漲。

03

HBM報價大漲、NAND跌幅放緩

存儲市場的崩潰主要來自兩方面的原因，一方面是供過于求，目前全球存儲廠商都在奮力減產(chǎn)并且已有所成效。另一方面則是源于市場需求低迷，伴隨著全球經(jīng)濟回暖以及AIGC的拉動，或許有望一掃陰霾迅速回暖。

近日，AIGC大熱，對于AI服務器需求大增，而AI服務器所需DRAM容量為常規(guī)服務器的8倍，NAND Flash是常規(guī)服務器的3倍，直接拉動DRAM和NAND需求大幅增長。2023年服務器使用的DRAM將超過智能手機，成為DRAM的第一大應用場景。

HBM突破了內(nèi)存容量與帶寬瓶頸，被視為新一代DRAM解決方案。據(jù)悉，2023年開年后三星、SK海力士兩家存儲大廠HBM訂單快速增加，價格也水漲船高，近期HBM3規(guī)格DRAM價格已上漲5倍。

目前，HBM主要被安裝在GPU、網(wǎng)絡交換及轉(zhuǎn)發(fā)設備（如路由器、交換器）、AI加速器、超級計算機及高效能服務器上，約占整個DRAM市場的1.5%，整體市占率水平尚低。但隨著AI技術不斷擴大對高算力的需求，HBM銷售量有望迎來快速增長。根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)顯示，2023—2025年HBM市場CAGR有望成長至40%-45%以上，至2025年市場規(guī)模有望達25億美元，市場需求快速提升。

此外，AI大模型龐大的數(shù)據(jù)集需要更大容量的NANDFlash存儲數(shù)據(jù)。據(jù)悉，GPT-3的參數(shù)量已達1750億個，GPT-4則需要更多。根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)顯示，去年第四季度，NAND閃存合約價格大跌20%～25%，今年第一季度NAND閃存均價跌幅有所收斂，至10%～15%，第二季度將繼續(xù)下跌，但跌幅將放緩至5%～10%。

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相關廠商迎來急單潮

隨著存儲芯片下游持續(xù)消化庫存，大廠減產(chǎn)幾乎已“減無可減”，加上三星也傳出有意調(diào)控產(chǎn)能，恐導致存儲價格隨時反彈，因而出現(xiàn)逢低價大量補貨的買氣，相關廠商已迎來急單潮。

力成表示，客戶開始加大下單力道，今年狀況將優(yōu)于預期。群聯(lián)也透露，客戶提前回補庫存，訂單量明顯回升約兩成。力成是全球存儲封測龍頭，群聯(lián)則是NAND Flash控制器芯片大廠，近期兩家大廠接單同步報喜，率先感受到市況轉(zhuǎn)強，透露整體存儲市場正快速復蘇當中。

力成曾在3月中旬的法說會上表示今年一季度運營比過往淡季還淡，第二季起才有望緩步回升，但時隔僅半個月，情況似乎就出現(xiàn)了大轉(zhuǎn)變。力成CEO謝永達直言，隨著業(yè)界庫存逐步見底，近期客戶急單涌入，公司對今年的展望與看法將優(yōu)于原先預估。謝永達說，存儲市場相比邏輯芯片市場更晚進入修正，也較晚回溫，并且存儲業(yè)者多數(shù)都擁有晶圓廠，減產(chǎn)力度不敢太重，隨著客戶庫存去化差不多到一個段落，產(chǎn)業(yè)自然開始恢復拉貨力道。

群聯(lián)CEO潘健成指出，目前NAND Flash報價相當便宜，成功刺激終端需求，已觀察到市場需求正呈現(xiàn)倍數(shù)成長，研判會有其他存儲原廠再宣布減產(chǎn)，代表后續(xù)有機會迎來產(chǎn)業(yè)景氣回春。群聯(lián)已感受到客戶群提前回補庫存的急單需求，近期訂單量顯著回升約兩成。

如此看來，相信用不了多久存儲業(yè)便會寒風不再，暖風徐來。

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即將到來的是好光景

江波龍高級副總裁、COO王景陽表示：“價錢下跌對我們這些做存儲的廠商來說，是很痛苦的事情，我們可能會虧錢，可能會有庫存壓力，但實際上，這對整個產(chǎn)業(yè)繁榮是大的利好，這個過程可能痛苦一點，但是應該很快過去了?！?/span>

的確，等這波寒潮過去，到時候迎來的就是極好的光景。因為大容量存儲器的終端滲透率正不斷提升。

在手機市場上，中低端手機的存儲容量在向128/256GB發(fā)展，高端手機的存儲容量邁向了512GB，甚至1TB，手機內(nèi)存也邁向10+GB，尤其在中高端的安卓手機中越來越多地搭載12GB/16GB的LPDDR。

在PC市場上，今年會全面進入512G和1T時代，并且會以1TB容量為主。不論是新一代大容量的移動端產(chǎn)品和消費級SSD的迭代升級，還是層出不窮的創(chuàng)新應用場景，未來消費電子市場對于存儲行業(yè)來說依舊是重要的增長市場之一。

除此之外，在數(shù)據(jù)中心領域，IT架構創(chuàng)新與eSSD豐富場景的應用，同樣推動著服務器的存儲容量快速向上發(fā)展。

因此整體來看，2022年的存儲市場規(guī)模有所下滑，但存儲容量規(guī)模仍略有增長。其中，全球NAND Flash容量增長了6%，達到了6100億GB，全球DRAM容量增長2%，達1900億GB。隨著線上業(yè)務不斷發(fā)展、海量數(shù)據(jù)持續(xù)增長，未來存儲市場也將迎來新一輪的需求變化。 

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